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近日，記者獲悉，作為汽車動力系統技術年會（TMC2023）的平行論壇，車規級功率半導體及應用技術論壇將于7月13日-14日在青島召開。預計本次平行論壇將有多達20余場報告，涵蓋材料、封裝、應用和技術趨勢4大板塊。

Yole將介紹全球Si IGBT，SiC MOSFET和模塊技術趨勢，同時分析Tesla降低75%的SiC用量及全球多家知名車企主驅逆變器方案解析。

安森美將結合現有車用電驅動的壽命需求來闡述Si和SiC在AGQ324中測試的差異及SiC芯片和模塊的銀燒結與高溫要求。

復旦大學張清純教授將通過介紹SiC MOSFET溝道及元胞設計與高可靠性、高雪崩能力終端設計來降低成本及可能帶來的性能改變。

士蘭微將帶來最新的1200V Si IGBT及SiC MOS與模塊創新技術分享。

此外，來自一汽集團，現代汽車，國創中心，陽光電動力，上海電驅動，上海磁雷革，中車時代半導體，三安半導體，紹興中芯，Boschman，忱芯科技，能芯半導體，合肥工業大學等半導體、整車企業與院校嘉賓將對車規級功率半導體創新技術與應用進行分享。

據了解論壇是汽車行業目前舉辦的唯一聚焦主驅逆變器功率半導體技術的論壇。論壇將充分發揮TMC多年深耕新能源汽車動力系統的品牌影響力和資源優勢，匯集政府、全球整車、動力系統、電機電控、功率半導體企業、高校和研究機構，深入探討車規級功率器件及SiC功率模塊的技術發展及產業鏈協同問題。